今年3月，三星在其韓國華城園區(qū)引入了首臺(tái)ASML制造的High-NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為“TWINSCAN EXE:5000”，成為繼英特爾和臺(tái)積電（TSMC）之后，第三家購入High-NA EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體制造商。三星已決定在未來的DRAM生產(chǎn)中采用High-NA EUV技術(shù)，競爭對(duì)手SK海力士也有同樣的想法。
據(jù)The Bell報(bào)道，三星和SK海力士已經(jīng)決定推遲在DRAM生產(chǎn)中引入High-NA EUV技術(shù)的時(shí)間。原因是工具設(shè)備的成本過高，另外DRAM架構(gòu)即將發(fā)生變化，從而讓存儲(chǔ)器制造商在High-NA EUV技術(shù)上采取更為謹(jǐn)慎的態(tài)度。
根據(jù)三星和SK海力士的計(jì)劃，DRAM架構(gòu)將分階段發(fā)展——從6F²到4F²，最終發(fā)展到3D DRAM。2030年之前量產(chǎn)的4F²DRAM將需要EUV技術(shù)處理，預(yù)計(jì)將采用High-NA EUV工具。不過與傳統(tǒng)DRAM不同，3D DRAM通過垂直堆疊增加晶體管密度，并不一定需要用到EUV技術(shù)，無論是普通的EUV還是High-NA EUV工具，從而消除了對(duì)EUV技術(shù)的需求。這意味著即便投資了High-NA EUV光刻機(jī)，但實(shí)際部署到DRAM生產(chǎn)的窗口期可能相對(duì)較短。
三星也會(huì)將High-NA EUV技術(shù)引入到邏輯芯片的生產(chǎn)中，正在評(píng)估1.4nm工藝中的使用，目標(biāo)2027年量產(chǎn)。臺(tái)積電也打算推遲使用High-NA EUV光刻機(jī)，A14工藝將繞過該技術(shù)，要等到2027年之后，計(jì)劃A14P工藝上引入。